Дослідження фоточутливості монокристалів n-Ge та n-Si з радіаційними дефектами

Навчальний заклад: Комунальний заклад загальної середньої освіти «Луцький ліцей №4 імені Модеста Левицького Луцької міської ради»

Автор: Чернюк Денис Олександрович

Відділення: Фізики і астрономії

Секція: Прикладна фізика

Область: Волинська

Опис:

В роботі досліджено спектри ІЧ-поглинання для опромінених різними потоками електронів з енергією 10 МеВ монокристалів n-Ge та з енергією 12 МеВ монокристалів n-Si. На основі аналізу одержаних спектрів було встановлено, що смузі поглинання 669 см-1 в опромінених зразках n-Ge відповідає негативно заряджений радіаційний дефект, що належить А-центру (комплекс вакансія та міжвузловий атом кисню). В спектрі опромінених зразків n-Si смуги 836 см-1 та 865 см-1 відповідають нейтральному стану А-центра та комплексу CiOi (міжвузловий вуглець-міжвузловий кисень) відповідно. Проведені розрахунки коефіцієнтів фоточутливості, пов’язаних з утвореними радіаційними дефектами, показують, що зростання потоку електронного опромінення призводить до збільшення фоточутливості монокристалів n-Ge та n-Si. Одержані при кімнатній температурі в середній та дальній області спектру ІЧ-випромінювання смуги 11,6 мкм (комплекс CiOi в кремнії), 12 мкм (А-центр в кремнії), 15 мкм (А-центр в германії) для опромінених монокристалів n-Ge та n-Si мають вагоме практичне значення щодо конструювання на основі таких монокристалів приймачів коротко-, середньо- та довгохвильового діапазону ІЧ-випромінювання.

- -